switch破解注入文件hekate 下載v6.2.2

hekate近期更新了版本，這里更新最新的中文版本。這次的新版本更加的穩(wěn)定，已經(jīng)很少有bug的發(fā)現(xiàn)，同時不需要再需要內(nèi)容，支持觸屏等多種的操作方式，操作也更加人性化，推薦大家更新。

怎么更新

版本選擇
hekate_ctcaer_6.2.2_Nyx_1.6.4_tc.zip 對應(yīng)繁體中文
hekate_ctcaer_6.2.2_Nyx_1.6.4_sc.zip 對應(yīng)簡體中文
如何升級：
將bootloader文件夾拖放到 SD 卡根目錄中，然后點擊合并/替換。
不需要刪除老的文件夾，特別是當(dāng)您需要保留之前的配置和payload。
如果您的switch是硬破，則需要將 hekate_ctcaer_x.x.x.bin 重命名為payload.bin放入SD卡根目錄中。
如果您的switch是軟破，則需要更新您的RCM注入設(shè)備或PC上tegraRCM的注入文件。

使用說明

大氣層 Atmosphere是Switch中的免費開源的破解系統(tǒng)，配合Hekate引導(dǎo)，可以實現(xiàn)備份恢復(fù)NAND、制作虛擬系統(tǒng)游玩破解游戲等多種功能。

注意事項
請勿使用Mac傳輸數(shù)據(jù)，也不要用移動設(shè)備（如手機）讀取內(nèi)存卡，會損壞文件，強烈建議使用Windows傳輸文件。

黑屏的可能原因
根據(jù)熱心訪客們的留言反饋，直接大氣層包覆蓋到卡中后使用Daybreak升級系統(tǒng)或出現(xiàn) 啟動黑屏的情況 ?？赡苁怯扇讲寮鸬暮谄?，也可能升級系統(tǒng)時漏選exFAT驅(qū)動并使用exFAT格式內(nèi)存卡造成的。

插件造成的黑屏可以嘗試移除/switch/文件夾以及/atmosphere/contents/中的三方插件后，重啟設(shè)備。

漏驅(qū)動的話，找張FAT32的卡重刷系統(tǒng)把exFAT驅(qū)動刷回去。

關(guān)于軟破設(shè)備注入器的頓悟
所有三方注入器，使用SX Loader-payload.rar，配合博客的大氣層整合包，可實現(xiàn) 永不更新注入器payload。

payload.bin的更新方法下方有說明，不同的是，更新的payload.bin來自：SX Loader-payload.rar。

使用SX Loader作為payload，會默認以SX的注入方式拉起TF卡根目錄的payload.bin，這個bin會隨新版整合包更新為最新的Hekate。如此，注入器再也不需要更新什么payload了，完全智能兼容，使用三方注入器的同學(xué)們可參考。

上述方法由熱心訪客 凌魔火影 確認可行。三方注入器的同學(xué)從此告別更新payload。

整合包說明
一個整合包軟破硬破設(shè)備通用。

整合包不附帶任何額外插件，默認有虛擬系統(tǒng)和真實系統(tǒng)屏蔽任天堂服務(wù)hosts、引導(dǎo)配置，虛擬系統(tǒng)隱藏序列號、禁用金手指自啟動功能：

如需移除虛擬系統(tǒng)屏蔽DNS（屏蔽hosts），刪除atmosphere\hosts\emummc.txt后重啟設(shè)備即可。

如需移除真實系統(tǒng)屏蔽DNS（屏蔽hosts），刪除atmosphere\hosts\sysmmc.txt后重啟設(shè)備即可。

如需默認啟用金手指，刪除atmosphere\config\system_settings.ini后重啟設(shè)備即可(由熱心訪客 fennnnn測試核對)。

exosphere.ini的blank_prodinfo_emummc=11改為0后重啟設(shè)備即可關(guān)閉虛擬系統(tǒng)隱藏序列號功能。

默認Launch下引導(dǎo)配置自定義了常用的前4個引導(dǎo)：

啟用開機直接進入破解系統(tǒng)流程
Hekate引導(dǎo)頁右上Options->Auto Boot OFF->選擇要默認進入的系統(tǒng)->Auto Boot ON->點底部Save Options保存即可。

禁用開機直接進入破解系統(tǒng)流程
如按住音量+（不靈就試試音量-）后，點按電源鍵后直接進入系統(tǒng)；如無法進入Hekate引導(dǎo)頁，則啟動后按住音量-。

Hekate引導(dǎo)頁右上Options->Auto Boot ON->點擊右上Disable->Auto Boot OFF->點底部Save Options保存即可。

Hekate USB傳輸教程

有USB線的情況下，大家應(yīng)該都熟悉DBI的MTP方式了，但有些文件呢，DBI的MTP方式傳輸容易出錯，比如固件~那么有其他的USB傳輸方式嗎？Hekate本身就提供了這個功能，讓Switch以優(yōu)盤的模式接入電腦，傳輸文件。其實之前的教程已經(jīng)講過了，但單獨抽出來一篇，更方便檢索。

注意事項：

首先，你要是大氣層用戶，并且知道如何進入Hekate引導(dǎo)頁（關(guān)機后按住音量+，點按電源鍵，軟破設(shè)備還需要短接設(shè)備）。

點擊上方Tools

USB線，連接Switch和電腦。

點擊USB Tools

進入：USB Mass Storage頁面，點擊SD Card

稍等片刻，電腦即可將TF卡識別為優(yōu)盤。

此時，就可以傳輸文件到TF卡了。文件傳輸結(jié)束后，電腦上像移除優(yōu)盤一樣，正常 彈出（卸載）TF卡
盤符成功移除后，Switch界面會允許關(guān)閉USB模式，之后關(guān)閉USB模式即可。

hekate ctcaer更新內(nèi)容

v6.2.2

支持啟動所有當(dāng)前 CFW、Android/Linux 啟動和有效負載工具。
不再需要移除 SD 卡

支持：Erista (T210) 和 Mariko (T210B01) 單元
支持的最新 HOS：19.0.0

hekate v6.2.2 更改
HOS 19.0.0 支持
L4T：將 ARC 更新至 v6
通過 ram_oc_opt 添加延遲解耦。
修復(fù)了 Oled skus 上的問題，即如果庫存出現(xiàn)故障，它們無法自動重新啟動到 OFW。

Nyx v1.6.4 更改
HOS 19.0.0 支持
復(fù)活節(jié)彩蛋已更新至 v2.5.3
在每幀空閑時進一步降低功耗。
Flash Android 按鈕現(xiàn)在將具有在分區(qū)方案中選擇的版本。
MBR 摘要中的 GPT 分區(qū)現(xiàn)在為紫色，以免與 Android 分區(qū)混淆
電池信息現(xiàn)在可以顯示最多 6 個 PD 配置文件

BDK 更改
DIRLIST：BREAKING Dirlist 的速度得到了改進，現(xiàn)在將返回一個結(jié)構(gòu)而不是字符數(shù)組
JOYCON：改進了數(shù)據(jù)包 ID 處理以改善延遲
UART：修復(fù) fifo 清除，不強制 tx 和 rx
IRQ：如果處理時出錯，請勿重新啟用 irq
BPMP：添加了狀態(tài)集支持（如果需要，可以提高省電效果）
TIMER：睡眠功能現(xiàn)在再次使用 RTC 計時器

v6.2.1
更新對大氣層18.1.0的支持

支持啟動所有當(dāng)前 CFW、Android/Linux 啟動和有效負載工具。
不再需要移除 SD 卡

支持：Erista (T210) 和 Mariko (T210B01) 單元
支持的最新 HOS：18.1.0
這是 v6.2.0 的更穩(wěn)定版本。
hekate v6.2.1 更改
L4T：將 ARC 更新至 v6
大幅改善信號質(zhì)量
性能和帶寬增加
某些時間略有調(diào)整，因此可能需要相應(yīng)調(diào)整 ram_opt
修復(fù) HOS 和 L4T 中的啟動問題
重新添加強制充電器啟用，以防 hekate 在禁用狀態(tài)下啟動
Nyx v1.6.3 更改
復(fù)活節(jié)彩蛋已更新至 v2.5.2
在特定情況下進一步提高準(zhǔn)確性
改進了 SD 卡安裝管理（可以進一步降低功耗）
硬件信息已更新，以更有條理的格式提供有關(guān) SKU 代號和芯片 ID 的完整信息
改進了分區(qū)管理器中當(dāng)用戶損壞引導(dǎo)加載程序文件夾或 > 1GB 時出現(xiàn)的錯誤消息。

v6.1.0
支持啟動所有當(dāng)前的 CFW、Android/Linux 啟動和負載工具。
不再需要移除 SD 卡
支持：Erista (T210) 和 Mariko (T210B01) 裝置
支持的最新系統(tǒng)：17.0.1
Hekate v6.1.0 變化
修復(fù)了當(dāng) SD 卡大于 1TB 時 emuMMC 扇區(qū)偏移解析失敗的問題。
L4T 和 ARC 變化：
允許引導(dǎo)分區(qū)為 exFAT
這將需要更新各種 L4T 版本的引導(dǎo)堆棧。 對于 Lakka 和不想格式化的用戶來說最重要。
對 RAM OC 的 Arachne 進行了重大更改，以提高性能和穩(wěn)定性
T210/LPDDR4 和 T210B01/LPDDR4X 的多個時序均得到改進和糾正
T210/LPDDR4 更高頻率的穩(wěn)定性得到改善
它還會顯著影響高密度 RAM 模塊，例如 8GB 配置
此外，還可以使用 ram_oc_opt ac 模式進一步改進它們。
修復(fù)了有時在 1600 MHz 上不允許縮短時序的問題
添加了新的 ram_oc_opt= 參數(shù)以支持 T210 和 T210B01 的高級 ram oc 配置。
主要針對使用 T210/LPDDR4 的用戶，因為頻率較低，以及其他喜歡優(yōu)化的用戶 (T210B01/LPDDR4X)。
在維基中閱讀更多內(nèi)容。
T210 的 ram_oc_vdd2 最大電壓限制提高至 1237mV。 T210B01 的 Jedec 最大值保持在 1175mV。
修復(fù)了當(dāng) RAM 頻率為 oc 1 時 T210 上 DDR200 的問題
Nyx v1.6.0 變化
添加了對 Android 13+ 動態(tài)分區(qū)方案的支持，并將舊版系統(tǒng)分區(qū)大小提高到 3GB (Android 10-11)
修復(fù)了 SD 卡大于 1TB 時 emuMMC 扇區(qū)偏移解析失敗的問題
修復(fù)部分 SD 卡顯示信息不完整的問題（例如 ADATA）
改進了熔絲信息（更正了主要/次要并添加了解析的 iddq 信息）
Hynix 和 Micron 的第三代 RAM 模塊型號名稱現(xiàn)已正確顯示
硬件信息現(xiàn)在將顯示每個芯片的 RAM 信息，而不是單芯片和 2 個通道。
Joycon 在初始化時的自動校準(zhǔn)得到了放松，以解決基于 HAL 效果的操縱桿模組漂移的問題。
此外，該修復(fù)也包含在切換到 PC 游戲手柄 USB 模式中。
為所有其余 Switch SKU 添加了內(nèi)置 6 軸校準(zhǔn)轉(zhuǎn)儲，并為 Lite 添加了棒型，以便在 L4T 中使用
添加了有關(guān) SD 卡最大支持總線速度的信息，并將所有 UHS 類別合并到一個字段中。
添加了有關(guān)一些 LCD 面板克隆和新的官方修訂版的信息
現(xiàn)在可以更精細地控制風(fēng)扇
BDK 變更
DRAM：Hynix 第三代 RAM 已重命名為正確的型號名稱。
DRAM：添加了有關(guān)美光第三代內(nèi)存的額外信息。
DRAM：添加了每芯片 MRR 信息
HWINIT：重新排序 sdmmc1 電源禁用
輸入：三星觸摸屏已更名為 TSP。 BH2109 是生產(chǎn)日期。
SE：添加了 se_aes_cmac_128、se_aes_crypt_hash 和 se_aes_iv_updated_clear 函數(shù)
ACTMON：改為平均采樣
MINERVA：將 pll 輸入分頻器更改為 2200-2266 mhz 以及其他一些修復(fù)
UTILS：sprintf 現(xiàn)在將拒絕 %c 的 NULL 終止字符
UTILS：如果基數(shù)為 16 并且數(shù)字為正數(shù)，則允許 strtol 解析無符號整數(shù)

v6.0.7更新內(nèi)容

支持：Erista (T210) 和 Mariko (T210B01) 裝置
支持的最新系統(tǒng)：17.0.0
Hekate v6.0.7 變化：
系統(tǒng) 17.0.0 支持
優(yōu)化 HOS INI1 打包，使其適合內(nèi)核區(qū)域。
L4T：允許針對庫存頻率對 RAM 進行欠壓
L4T：糾正了 Arachne 的一些時間，這些時間高于應(yīng)有的時間
Nyx v1.5.6 變更：
系統(tǒng) 17.0.0 支持
K4U6E3S4AB-MGCL dram 通過照片驗證，現(xiàn)在在信息中正確命名

v6.0.6更新日志：

支持啟動所有當(dāng)前的 CFW、Android/Linux 啟動和負載工具。
不再需要移除 SD 卡

支持：Erista (T210) 和 Mariko (T210B01) 設(shè)備
支持的最新固件：16.1.0
Hekate v6.0.6 變化
啟動項：

允許覆蓋引導(dǎo)等待
現(xiàn)在可以在引導(dǎo)條目上使用 bootwait 來覆蓋全局條目。
L4T/Arachne T210 (Erista) 和 T210B01 (Mariko) 更改：

默認情況下自動設(shè)置 T210B01 的額定 DRAM 頻率。
由于 Arachne 現(xiàn)已最終穩(wěn)定，舊版本使用 1866 MHz，新版本使用 2133 MHz。
T210 默認情況下仍將使用 1600，因為這些芯片的評級是這樣的。
允許 T210B01 RAM OC 高達 3200 MHz（從 3000 開始），T210 RAM OC 高達 2366 MHz（從 2133 開始）
一些內(nèi)存模型和分檔可以處理它。 這需要 L4T 5.1.2 版本及更高版本才能工作。
改進了 T210 的 8GB 表創(chuàng)建
允許內(nèi)存欠壓。 VDD2 最小值：1050mV，VDDQ 最小值：550。
一些計時已更正為使用基于延遲的基值而不是頻率
提高整體帶寬性能并降低延遲
添加了內(nèi)存 PTSA DDA 返工支持以提高效率
這需要 L4T 5.1.2 版本及更高版本才能進行自定義返工更改才能工作。
在使用這些之前，必須在 5.1.2 L4T 發(fā)布后重新閱讀 Wiki。 與往常一樣，OC 必須保持平衡，而不僅僅是調(diào)到最大。

Nyx v1.5.5 變更
emuMMC 備份現(xiàn)在可以直接遷移為基于文件的 emuMMC，無需移動它
emuMMC 恢復(fù)現(xiàn)在使用 /backup/{sn}/restore/emummc 文件夾
現(xiàn)在避免使用父還原文件夾，因為它始終用于 eMMC 還原。
這有助于避免將 emuMMC 備份復(fù)制到恢復(fù)/然后將其恢復(fù)到 eMMC。
修復(fù)了時鐘偏移設(shè)置年份的偏差問題
修復(fù)了在沒有 hekate_ipl.ini 的情況下 Nyx 在首次啟動時無法啟動的問題
改進了信息上的 RAM 通道檢測
添加了更多 cal0 信息
在保險絲中添加公鑰信息
BDK 變更
FUSES：添加了所有熔絲寄存器定義
T210B01現(xiàn)在有B01后綴
FUELG：寄存器轉(zhuǎn)儲移至 bdk 以供其他應(yīng)用程序使用
T210：添加了許多有用的 memio 地址和宏
I2C：修復(fù)堆棧緩沖區(qū)溢出
MINERVA：OC 頻率現(xiàn)在由 Arachne 處理

v6.0.5更新內(nèi)容

支持啟動所有當(dāng)前的 CFW、Android/Linux 啟動和負載工具。
不再需要移除 SD 卡

支持：Erista (T210) 和 Mariko (T210B01) 裝置
支持的最新居屋：16.0.3
修補程序：
Nyx 在 v2 zip 中進行了更新。 如果您有 Lite 并且想要游戲手柄校準(zhǔn)，請重新下載版本并重新運行 Dump Joy-Con BT

Hekate v6.0.5 變化
L4T：為 T210 添加 BPMP-FW 支持（電源管理）。
L4T：通過 ram_oc_vdd2 和 ram_oc_vddq 添加微調(diào) DRAM 電壓選擇。
更多信息將在 L4T 5.1.1 配置自述文件中。
尼克斯的變化
Lite 游戲手柄校準(zhǔn)轉(zhuǎn)儲
現(xiàn)在可以使用轉(zhuǎn)儲 Joy-Con BT 按鈕轉(zhuǎn)儲 Lite 游戲手柄的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)。 （用于L4T 5.1.1，尚未發(fā)布。）
v2 zip 對此進行了修復(fù)。
現(xiàn)在，即使 eMMC 初始化失敗，eMMC 錯誤也將始終在 eMMC 信息中報告。
更新了 3 個較新 RAM 芯片中的 2 個的 DRAM 信息（尚未驗證）。
BDK 變更
MINERVA：修復(fù)了可能使用錯誤數(shù)量的表的問題。
MINERVA：標(biāo)準(zhǔn)化所選頻率。 這使得用戶無法準(zhǔn)確確定 l4t 的 ram 頻率。
MINERVA：為 T210 添加對 1966MHz (1958.4) 和 2033MHz (2035.2) 的支持。
DRAM：添加對 T210 的自定義 dram id 7 的支持（7 很容易在保險絲中的任何 T210 id 上燒毀）。 這是針對 8GB RAM 芯片的。
DRAM：命名 3 個新 RAM 芯片中的 2 個（尚未驗證，但這是一個有根據(jù)的猜測，因為之前的所有芯片最終都是正確的。）
DRAM：更正了有關(guān)中周期 Hynix RAM 芯片的 SKU 信息。
PMIC：將新的 L4T DRAM 電壓調(diào)整支持的最大允許 RAM 電壓降低到官方限制范圍內(nèi)。
定時器：添加了一個新的 isleep 函數(shù)，允許基于指令的定時睡眠。
SDMMC：修復(fù)了 SD/eMMC 校準(zhǔn)墊報告錯誤原因的問題。

v6.0.4更新內(nèi)容

支持啟動所有當(dāng)前的 CFW、Android/Linux 啟動和有效負載工具。
不再移除 SD 卡

支持：Erista (T210) 和 Mariko (T210B01) 裝置
支持的最新系統(tǒng)：16.0.2
hekate v6.0.3 改動
為使 sd gpios 處于不良狀態(tài)的不良鏈加載程序添加了緩解措施
L4T：現(xiàn)在一些 2019 T210B01 三星 ram 芯片可以超頻到 2133 MHz，適用于 Linux/Android。
L4T：為支持 Linux/Android 的 SD UHS DDR200 總線速度添加了強制性更改。
修復(fù)了一個極端情況，即如果運行 hekate 并在之后觸發(fā) rtc 警報，則引導(dǎo)至 HOS 會關(guān)閉設(shè)備電源。
由于在那種情況下 Switch 是通過電源或 USB 喚醒的，因此現(xiàn)在在自動 HOS 關(guān)機檢查期間會清除所有標(biāo)志。
各種修復(fù)和改進
Nyx v1.5.3 更改
SD 卡/eMMC 基準(zhǔn)測試現(xiàn)在在每次讀取之間停頓更少，以便對卡施加更多壓力。
各種修復(fù)和改進
BDK 變化
GPIO：重新排序輸入/輸出功能的配置，以減輕以前加載程序的錯誤配置
GPIO：添加了 dobounce 設(shè)置功能
SDMMC：新增SD UHS DDR200總線速度模式，可在UHS-I總線上達到200MB/s。
可以使用 BDK_SDMMC_UHS_DDR200_SUPPORT 構(gòu)建時間標(biāo)志啟用
SDMMC：添加了適當(dāng)?shù)?SD DDR50 總線速度模式。 默認不使用。
SDMMC：更正了設(shè)置 SD 功率限制的順序。 根據(jù)規(guī)范，它只對 SDR50 及更高版本有影響。
SDMMC：修復(fù)了 sd 移除檢測的問題
SDDMC：添加了 sdmmc 驅(qū)動程序類型集支持
SDMMC：增加所有SD卡寄存器（CID/CSD/SCR/SSR）的調(diào)試打印功能。
SDRAM：添加了一項功能，允許將 SDMMC1 的延遲容限修補為 eMMC 值
輸入：重新排序觸摸屏的電源，以便在開始時引起一個小的重置
UTILS：從電源管理功能中刪除了停止 rtc 警報

支持：Erista (T210) 和 Mariko (T210B01) 裝置
支持的最新HOS：16.0.0
hekate v6.0.2 改動
HOS 16.0.0 支持
修復(fù)了在某些情況下可能導(dǎo)致 Stock-mode 在 HOS 1.0.0 至 6.1.0 上啟動時掛起的問題。
修復(fù)了 TUI 模式下用戶無法在沒有 hekate_ipl.ini 的情況下訪問選項的問題
以防 hekate 從移除或損壞的 SD 開始并在稍后插入
L4T Loader：更新了 T210B01 SC7-Exit 固件以解決新燒毀的保險絲數(shù)量
各種其他改進。
emuMMC 變化
HOS 16.0.0 支持

Nyx v1.5.2 變化
HOS 16.0.0 支持
改進 init 上的 SD 錯誤處理。 在失敗的情況下添加重試。
如果它仍然無法加載它們，現(xiàn)在用戶將正確地收到一條致命錯誤消息。
添加了對 bpmpclock=3 的支持，這進一步降低了最差 binned SoC 的時鐘速度
此外，首次啟動時鐘測試現(xiàn)在在首次啟動時持續(xù) 10 秒，而不是 5 秒。
要更改 bpmpclock，您需要手動編輯 nyx.ini，因為它不在 GUI 選項中。
如果啟用了 AutoRCM，則重新啟動到 OFW 按鈕現(xiàn)在將被禁用
修復(fù)了 PKG1/2 轉(zhuǎn)儲工具的問題，該問題會在 PKG1 轉(zhuǎn)儲時生成不正確的二進制文件。
各種改進/修復(fù)
BDK 變化
SDMMC：改進初始化錯誤處理
GPIO：添加了 gpio_direction_input 和 gpio_direction_output 功能，可以更輕松地完全配置引腳。
5V 穩(wěn)壓器：移除了 T210B01 的 X3 引腳。 不應(yīng)在那里管理 VBUS 調(diào)節(jié)器。
HW Deinit：請勿觸摸 T210B01 上的 APE 時鐘
HW Deinit：刪除對損壞的 HW init 的支持
CLOCK：改進 PLLC deinit
BM92T36：添加了對通信的健全性檢查。 修復(fù)了在該芯片的 i2c 損壞的情況下掛起的問題。
SDRAM：刪除了對 (LP)DDR2/3 的支持。 無論如何只使用 LPDDR4(X)。

支持啟動所有當(dāng)前的 CFW、Android/Linux 啟動和有效負載工具。
不再移除 SD 卡

支持：Erista (T210) 和 Mariko (T210B01) 裝置
支持的最新HOS：15.0.1
hekate v6.0.0/6.0.1 變化
L4T裝載機
對于新的 L4T 版本是強制性的，特別是對于 Mariko 支持。
不再支持 Coreboot（在所有內(nèi)容更新之前仍然受支持）。
圓子的 R2P。 將由 L4T 使用。
Auto HOS power off 現(xiàn)在會在 OLED 面板上閃爍 3 次
以前的緩慢淡出的方法在 OLED 面板上不起作用，所以改為閃爍。
改變了電池足夠的限制
增加 50-100mV。 與往常一樣，如果您看到 hekate 電池電量耗盡圖標(biāo)，請為您的開關(guān)充電，否則它很容易隨機關(guān)閉。
各種改進/修復(fù)
修補程序 6.0.1 - L4T 裝載機：
修復(fù)了一些固件數(shù)據(jù)未在 T210B01 上傳播的問題。
修復(fù)了在 T210 上傳遞錯誤數(shù)量的 mtc 表的問題。
Nyx v1.5.0/1.5.1 變化
修復(fù)了 UMS eMMC 掛載可能掛起的問題
為啟動選項添加了無邊框和彩色組合
圖標(biāo)必須具有 _hue_nobox.bmp 后綴才能啟用
命名新 dram 芯片的供應(yīng)商。 型號還不清楚。
使所有備份/恢復(fù)選項始終為 BOOT0/1 分區(qū)使用 4 MB
增加了與具有更大引導(dǎo)分區(qū)的自定義 eMMC 的更好兼容性
添加了之前更新中缺失的 17 個燒毀的保險絲信息
添加了更多 SD 供應(yīng)商
1.5.1：修復(fù)了從 hekate 標(biāo)志到 Nyx 的過渡在某些 LCD 面板上可能不和諧的問題。
各種改進/修復(fù)
BDK 變化
eMMC：添加emmc_set_partition
UMS：修復(fù)了沒有初始化問題的堆棧使用
SDRAM：重新命名的新芯片
max77812：如果不是 211 相位，則不允許設(shè)置 RAM1 穩(wěn)壓器
時鐘：host1x 現(xiàn)在僅由 hw-init 管理，而不是顯示/VIC/TSEC
RTC：添加了 T210B01 R2P
BQ24193：移除充電器強制啟用
任何依賴它的軟件都應(yīng)該通過 gpio 正確管理充電器，而不是隨機禁用它
ini：ini_check_payload_section 更改為 ini_check_special_section 以適應(yīng) l4t 特殊密鑰
各種改進/修復(fù)

2022-10-12 hekate 5.9.0更新日志
HOS 15.0.0 全面支持
修復(fù)了 HOS 6.2.0 的回歸導(dǎo)致 TSEC 掛起 hekate
現(xiàn)在在 bootlogo 的延遲時間內(nèi)顯示一個新的動畫股票行
它提供了一個很好的可見反饋，并提醒用戶在需要時按 VOL-。
可以通過編輯 hekate_ipl.ini 并在 [config] 部分設(shè)置 noticker=1 來禁用它。 （GUI 選項可能會稍后出現(xiàn)。）
這只會禁用自定義引導(dǎo)徽標(biāo)的代碼，而不是默認的 hekate 之一。
對于新的 Mariko 用戶，現(xiàn)在默認啟用 Auto HOS Power Off 功能
現(xiàn)有用戶可以像往常一樣在 Nyx -> Options -> Auto HOS Power Off 中啟用它。
添加了一條錯誤消息，以防有效負載啟動失敗
以前它不會顯示任何內(nèi)容。
支持新的DRAM芯片
許多引擎蓋下的改進

此版本支持引導(dǎo)所有當(dāng)前OS / CS CFW，Linux鏈加載和有效負載工具。
不再需要SD卡刪除

支持最新OFW：8.1.0

此版本中的新功能
固定6.2.0股票和CFW的keygen
修復(fù)了啟動到6.0.x / 6.1.0的問題
修復(fù)了引導(dǎo)HOS的掛起問題
這些是從緩存一致性問題，或SD卡快速重新啟動或堆棧損壞創(chuàng)建的。
禁用股票emuMMC直到它被修復(fù)
現(xiàn)在如果找不到patches.ini，將從patches_template.ini加載kip補丁。
添加了一個檢查，沒有自定義secmon和warmboot，沒有加載emuMMC。
Nyx v0.8.1
固定Nyx在啟動和幀緩沖問題上掛起
通過修復(fù)觸摸屏問題，緩存一致性問題，穩(wěn)定幀緩沖區(qū)memfetch以及修復(fù)某些SD卡的過快重啟來解決這些問題。
遷移emuMMC修復(fù)程序
它現(xiàn)在可以找到更多可用的現(xiàn)有分區(qū)解決方案。
修復(fù)了遷移其他sd分區(qū)emunand解決方案的問題。
更改emuMMC修復(fù)程序
固定邏輯與按鈕分配
它現(xiàn)在還可以識別更多的emuMMC。
將emuMMC創(chuàng)建分區(qū)類型更改為xE0
修復(fù)了所有Linux發(fā)行版的問題。您可以運行遷移以應(yīng)用此修復(fù)程序。
Sd卡現(xiàn)在在創(chuàng)建/備份/恢復(fù)過程之前重新啟動以刷新調(diào)整
可能會修復(fù)一些卡的一些問題。
啟動/更多CFG
修復(fù)了如果沒有圖標(biāo)按鈕什么都不做的問題。
添加了強制屏幕HOS啟動日志的選項。
大名鼎鼎的名字會滾動。
雖然移除了SD卡，但現(xiàn)在可以重新啟動或關(guān)閉電源。屏幕截圖功能被禁用。
添加溫度傳感器初始化，以恢復(fù)L4T的范圍。
修復(fù)了Nyx可以將背光設(shè)置為0的問題。
并且一般系統(tǒng)穩(wěn)定性改進，以增強用戶的體驗。 （真的..）。

檢查readme.md了解更多信息。

注意：您將需要sept和自定義secmon和warmboot二進制文件來啟動7.0.0-8.1.0或庫存emuMMC。

Nyx v1.4.0 更改
Mariko 的流體圖形用戶界面
Nyx 現(xiàn)在使用硬件旋轉(zhuǎn)，極大地提高了 Mariko 的渲染時間
緩慢和瀑布般的渲染現(xiàn)在消失了。
黑色主題支持
添加了主要針對 OLED 面板的實驗性黑色主題。
可以在 Nyx 設(shè)置 -> 顏色主題 -> 切換背景中啟用。
之后您需要選擇保存并重新加載才能真正使用它。
目前它是實驗性的，因為它需要在這里和那里進行一些調(diào)整。
添加了關(guān)于 Switch Lite Sharp LQ055T1SW10 面板的信息
修復(fù)了每次在窗口上點擊時都會產(chǎn)生大量口吃的問題
在 Mariko 設(shè)備上很明顯，因為它會產(chǎn)生 1 秒的卡頓。 （在 Erista 上是不可見的。）
Nyx 選項已重命名為 Nyx 設(shè)置，以避免與 hekate/一般選項混淆
如果燃油表處于初始狀態(tài)，現(xiàn)在會顯示警告圖標(biāo)和原因
分區(qū)管理器現(xiàn)在還對 payload.bin 進行備份，以防無法進行完整備份
現(xiàn)在在這種情況下備份的項目總數(shù)為：hekate/Nyx 文件 (bootloader)、Mariko 熱啟動存儲 (warmboot_mariko) 和 payload.bin。
修復(fù)了 XUSB 的問題，該問題會在使用 UMS 后破壞 L4T 中 Mariko 上的 USB
修復(fù)了如果用戶在彈出窗口中按下不可見的填充按鈕，它將關(guān)閉它的問題。
修復(fù)了進入 emuMMC 窗口時可能會掛起 Nyx 的堆損壞問題
改進了各種錯誤信息
許多引擎蓋下的改進
BDK 更改
顯示：添加了用于操作幀/紋理緩沖區(qū)的 VIC 硬件邏輯驅(qū)動程序
顯示：添加了夏普 LQ055T1SW10 面板定義
Dram：增加了對新 ram 芯片的支持
電源：現(xiàn)在可以管理 T210B01 SKU 上的 RAM 調(diào)節(jié)器
電源：改進的 5V 穩(wěn)壓器管理
XUSB：最終確定和優(yōu)化的 XUSB deinit
eMMC：emmc_end 現(xiàn)在可用于 deinit eMMC
I2C：修復(fù)了 i2c 數(shù)據(jù)包發(fā)送模式的問題
PMC：添加了更多的 pmc 暫存鎖類型
修復(fù) 6.2.0 固件上的 TSEC 問題
lib: strtol 和 atoi 替換為自定義版本以從 stdlib 中刪除重入包
各種內(nèi)部改進